指纹识别FPC厂之三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展
指纹识别FPC厂了解到,三星 Foundry在5月9日的以色列半导体展会ChipEx2023上公布了旗下3nmGAAMBCFET技术的最新进展以及对SRAM设计的影响。
柔性电路板厂了解到,三星表示,相较FinFET,MBCFET提供了更好的设计灵活性:在传统的FinFET结构中,栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的;而MBCFET则将鳍片横向堆叠在一起,所以纳米片的高度可以自行调整,能提供相对FinFET更多的通道宽度选择。
软板厂了解到,MBCFET的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性,可以在PMOS和NMOS之间形成最佳平衡。
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型 号:RM04C01092A
层 数:4
板 厚:0.12mm
材 料:双面无胶电解材料
铜 厚:1/2 OZ
表面处理:沉金1微英寸
最小线宽/线距:0.15mm/0.075mm
FR4补强厚度:0.3mm
其 他:SMT贴片后出货
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型 号:RS01C00173A0
层 数:1层
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材 料:1OZ有胶压延
铜 厚:1OZ
表面处理:沉金
最小线宽/线距:0.2mm/0.1mm
PI补强厚度:0.1MM
其 他:贴胶纸,PI补强
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型 号:RS01C00093A0
层 数:1层
板 厚:0.12mm
材 料:1OZ有胶电解
铜 厚:1OZ
表面处理:沉金
最小线宽/线距:0.3mm/0.3mm
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其 他:需贴PI补强
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板 厚:0.12mm
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最小线宽/线距:0.3mm/0.2mm
PI补强厚度:0.1MM
其 他:贴背胶及PI补强
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