指纹识别FPC厂了解到，三星 Foundry在5月9日的以色列半导体展会ChipEx2023上公布了旗下3nmGAAMBCFET技术的最新进展以及对SRAM设计的影响。
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柔性电路板厂了解到，三星表示，相较FinFET，MBCFET提供了更好的设计灵活性：在传统的FinFET结构中，栅极所包裹的鳍片高度是无法调整的；而MBCFET则将鳍片横向堆叠在一起，所以纳米片的高度可以自行调整，能提供相对FinFET更多的通道宽度选择。
软板厂了解到，MBCFET的这一特性为 SRAM 单元设计提供了更大的灵活性，可以在PMOS和NMOS之间形成最佳平衡。
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