柔性电路板厂之补涨!三星、美光Q1或涨价20%!
柔性电路板厂了解到,1月3日,据台媒电子时报消息,继NAND Flash从2023年下半一路强势拉涨报价后,内存模块业者传出,三星电子、美光等内存大厂,正规划第1季DRAM价格调涨15~20%。
业界人士称,上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM,如DDR4、DDR5成下一波调涨重点,以加速改善营运亏损。随着手机、服务器需求逐渐回升,预计2024年DRAM市场供应将持续紧张,从1月起将调涨DRAM新报价,借此催促客户须提前规划未来使用需求量。
DRAM涨幅看上20%
尽管市场需求尚未恢复稳定,但内存业界人士透露,近期收到三星提出预告,第1季DRAM报价至少将调涨15%起跳,至于NAND涨幅虽然没有明确提出,但预料仍将继续调涨,内存价格涨势将延续至2024年底。
还有内存模块业者向客户提出通知,2024年第1季预期三星、美光将相继调涨DRAM报价约15~20%,由于12月DRAM报价仅微幅调涨2~3%,明显低于3D TLC NAND涨幅约10%的表现。
虽然上游原厂从第1季启动DRAM补涨行情,内存模块业者认为并不意外,DRAM报价调涨动能主要仍来自于上游原厂的人为操作,且内部先前预判即将迎来单季涨幅约15~20%,近月来已陆续回补低价库存。
业界预期,随着上游原厂酝酿调涨DRAM报价,多家内存模块业者各自收到风声启动备货,预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进,预计从第2季起将全面反映DRAM涨势。
预计这波DRAM涨价由三星率先发动攻势,操作玩法几乎与2023年第3季NAND调涨相似,但未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升,需观察年后的市场需求表现。
软板厂了解到,虽然市场实质买气并未复苏,短期内交易需求较为平淡,预料第1季上半终端市场仍存在观望气氛,第1~2季将是关键,若主要应用出海口需求顺利衔接,内存荣景将确定大好,产业供不应求将无悬念。
NAND或再涨50%
NAND的涨价消息则在去年底就陆续放出。
在上月底,据中国台湾NAND相关业者表示,NAND芯片供应商将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂跨过盈亏平衡点,要能赚钱,未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。换言之,现在NAND芯片价格扬升只是涨价首部曲,下一波涨势好戏在后头,短期内将再迎来一波高达50%的「涨价」。
业界指出,由于NAND芯片利润比DRAM低,国际大厂都积极缩减NAND芯片产量,以三星为例,自去年9月起将NAND芯片减产幅度扩大到总产能50%,集中128层堆栈以下产品,目的是加速去库存与稳定价格,甚至准备在2024年中前逐步提高报价,计划每季涨价20%。
由于先前NAND芯片价格下跌太多,尽管合约价季涨幅看来不小,但距离芯片厂达到转盈还有一段距离,预期价格至上还要再涨四成,才能让供货商跨过损平基准点,因此,未来几季价格会相当强势。
从需求而言,预估2024年手机、PC出货量将分别年增5.3%、4.1%,其中新处理器平台将持续推升DDR5渗透率,随生成式AI将搭载于手机、PC上,AI学习数据储存需求将需要更大储存空间,将进一步推升NAND需求,服务器预估随景气逐步复苏,AI趋势将持续推升DDR5、HBM等需求。
FPC厂讲在供给方面,今年第3季起,随大厂亏损收敛,库存持续改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化,三星本季减产预估减产效应将在明年上半年发酵,明年DRAM价格仍能逐季成长。
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