跨过这几道坎充分利用软板全面屏手机至少能火十年

文章来源：新浪科技作者：邓灵芝查看手机网址

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人气：4482发布日期：2017-08-11 10:35【大中小】

目前16：9比例的屏幕显示多数屏占比没有突破75%，因此一款真正意义的全面屏手机，至少要拥有80%的屏占比，才能保证视觉上与传统手机的区隔。不过上半年全面屏并未流行起来，除了价格因素，打造一块全面屏的技术难度和背后需要调整的软板等生态变革是众多安卓手机厂商上半年疲软的主要因素。

在现有的手机形态下提升屏占比除了继续缩窄边框之外，显示屏幕还需要对手机的“额头”和“下巴”进行“强拆”。目前来看，全面屏共有三种形态存在，第一种是三星盖乐世S8窄额头下巴设计，是传统形态的改良；第二种是夏普AQUOS S2三边窄边框设计；第三种则是尚未量产的四边窄边框设计，不出意外，iPhone 8将会以四边窄边框的形态惊艳问世。

iPhone 8的四面窄边框

提高屏占比这些高难度技术要掌握

无论是三星、夏普还是iPhone 8，都需要将左右边框做到足够窄，目前来看做到窄边框已经有成熟的方案，比如三星的曲面、努比亚Z17的无边框已经可以从视觉上做到左右边框的“消失”，提升屏占比。

目前做窄边框的思路大都相同，即通过减少BM区的宽度，BM区就是大家经常说的手机黑边，功能上来讲BM区主要是帮助遮挡背光模组的光线，结构上来讲，BM区域主要包括边框胶和驱动电路排线，边框胶用于液晶屏封装，防止液态的液晶分子流出；驱动电路排线区域顾名思义，用于放置传输屏幕驱动电路控制信号的走线。

传统意义上缩窄黑边有限，目前多是通过改良工艺来推进窄边框甚至无边框的实现，比如通过提升点胶工艺，缩窄边框胶宽度，目前可以将边框胶宽度从0.5mm缩到0.3mm。

另外通过技术改良来减小左右驱动电路区域宽度也是一种方式，一般来讲液晶面板的运作受到栅极和源级电压的共同控制，其中负责开启和关闭具体某个像素点下方的TFT晶体管的栅极驱动芯片Gate IC一般位于面板左右BM区域里。

现在全新的GOA（Gate On Array）技术可以做到将Gate IC直接制作在TFT阵列（Array）基板上，省去Gate IC占据的空间，精简外置Gate IC需要的走线，也是缩窄边框的好方法。

另外在显示材料技术方面，LTPS低温多晶硅技术还能够实现栅极走线重叠设计的方式缩短BM的宽度，进一步实现左右边框做窄。

但是我们知道想要让黑边全部消失现在无法实现，所以目前的无边框手机均是屏幕玻璃边缘采用了斜切或者圆角结构，利用光线折射的原理实现“视觉无边框”。不过对于全面屏来说，通过工艺改良已经能够做到边框足够窄，目前的难点在于怎么让“额头”和“下巴”消失。

强拆手机额头这项技术必不可少

前面的方式已经让面板左右BM区足够窄，那么用这种思路区缩小额头和下巴行不行呢？

答案是很难，面板端子部除了边框胶之外，还有连接源级和驱动IC的斜配线、Source IC以及软板Bonding区。传统的思路是将Source IC直接绑定到玻璃上，面板端子部的边框一般在4-5mm左右。但由于Source IC比较复杂，不像Gate IC可以直接整合到TFT阵列（Array）基板上。

因此缩小上下部分的主要做法是采用COF（Chip On Film）方案，将Source IC封装到软板上，再将FPC弯折到玻璃背面。相比IC在玻璃上的COG技术，COF技术可以缩小边框1.5mm左右的宽度。

总的来看，想要实现真正意义上的全面屏，至少在显示这块需要做到升级点胶工艺+GOA技术+LTPS技术+COG技术四者结合。目前LTPS面板的窄边框极限能力一般在三边0.5-0.6mm，下边2mm左右，现在已有企业已经生产出了类似的全面屏。这款产品基于LTPS面板，5.46英寸FHD分辨率，长宽比18：9。设计上采用了新栅极驱动电路来实现电路极限压缩，并改进了涂布与液晶分子滴下工艺。

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