在双面柔性电路板中为保证基材与化学镀铜层结合良好,采用粗化即弱腐蚀处理,以除去导体表面的铜,从而获得清洁而微粗糙的表面。
微蚀溶液配方(参考下表)
导体表面粗化溶及工艺条件
溶液组成分 |
1 |
2 |
3 |
4 |
硫代硫酸铵 |
180~250 |
- |
- |
- |
硫代硫酸钠 |
- |
200~220 |
- |
- |
硫酸 |
25~50 |
15~35 |
- |
90~110 |
氯化铜 |
- |
- |
50~60 |
- |
盐酸 |
- |
- |
250~300 |
- |
双氧水 |
- |
- |
- |
85~170 |
稳定添加剂 |
- |
- |
- |
适量 |
温度(℃) |
室温~35 |
温~40 |
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时间(分) |
2~3 |
2~4 |
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搅拌方式 |
机械运动 |
机械运动 |
配方1:过硫酸盐粗化液是利用其水解时所产生的原子态氧与铜发生氧化-还原反应来实现微粗化铜箔表面。
配方3:酸性氯化铜粗化液是利用在酸性介质和有过量的氯离子存在的条件下,一价铜与氯离子发生络合反应【CuCl4】2-具有很强的氧化活性,它能把Cu0氧化成可溶性【CuCl2】-,从而达到微粗化的目的。但有其缺点就是在清洗过程中,微粗化的表面极易生成一层难溶性一价铜络合物,最后还需要进行络合清洗(柠檬酸20g/L、溴代十六烷吡啶1g/L、Ph=9、室温、时间2~3分钟)。但不能处理时间过长,因它会直接影响化学镀铜层与铜箔的结合了。
配方4:硫酸/双氧水粗化液是利用其水解时所产生的原子态氧与铜发生氧化-还原反应来实现微粗化铜箔表面。