电容屏fpc厂中的蚀刻工艺，也称光化学蚀刻，指通过曝光制板、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

  蚀刻的原理是在一定的温度条件下（45+5）蚀刻药液经过喷头均匀喷淋到铜箔的表面，与没有蚀刻阻剂保护的铜发生氧化还原反应，而将不需要的铜反应掉，露出基材再经过剥膜处理后使线路成形。蚀刻药液的主要成分：氯化铜，双氧水，盐酸，软水

品质要求及控制要点：

  1﹑不能有残铜，特别是双面板应该注意。

  2﹑不能有残胶存在，否则会造成露铜或镀层附着性不良。

  3﹑蚀刻速度应适当，不允收出现蚀刻过度而引起的线路变细，对蚀刻线宽和总pitch应作为本站管控的重点。

  4﹑线路焊点上之干膜不得被冲刷分离或断裂。

  5﹑蚀刻剥膜后之板材不允许有油污，杂质，铜皮翘起等不良品质。

  6﹑放板应注意避免卡板，防止氧化。

  7﹑应保证时刻药液分布的均匀，以避免造成正反面或同一面的不同部分蚀刻不均匀。

制程管控参数：

  1、蚀刻药水温度：45+/-5℃ 双氧水的溶度﹕1.95~2.05mol/L

  2、剥膜药液温度﹕ 55+/-5℃ 蚀刻机安全使用温度≦55℃

  3、烘干温度﹕75+/-5℃ 前后板间距﹕5~10cm

  4、氯化铜溶液比重﹕1.2~1.3g/cm3 放板角度﹑导板﹑上下喷头的开关状态

  5、盐酸溶度﹕1.9~2.05mol/L

品质确认：

  1、线宽：蚀刻标准线为.2mm & 0.25mm﹐其蚀刻后须在+/-0.02mm以内。

  2、表面品质：不可有皱折划伤等。

  3、以透光方式检查不可有残铜。

  4、线路不可变形

  5、无氧化水滴